10N65/F10N65/I10N65

10A 650V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

1 説明

これらのシリコン N チャネル強化 vdmosfet は、自己整合プレーナ技術によって得られ、

伝導損失が減少し、スイッチング性能が向上し、アバランシェエネルギーが強化されます。 RoHS規格に準拠しています。

2 特徴

●高速スイッチング

● 低オン抵抗(Rdson≦1.0Ω)

● 低いゲート電荷(標準データ:32nC)

● 低い逆転送容量(標準:7pF)

● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト

3 アプリケーション

●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。

VDSS	RDS(オン)(TYP)	ID
650V	0.85Ω	10A