10N65/F10N65/I10N65

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 10 A y 650 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N de silicio se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la

Pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido

● Baja resistencia de encendido (Rdson≤1.0Ω)

● Carga de puerta baja (datos típicos: 32 nC)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 7 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	0,85Ω	10A