10N65/F10N65/I10N65

10A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує

втрати провідності, покращують продуктивність перемикання та збільшують енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Низький опір увімкнення (Rdson≤1,0Ω)

● Низький заряд затвора (типові дані: 32nC)

● Низька зворотна ємність передачі (типова: 7 пФ)

● 100% одноімпульсний лавинний енергетичний тест

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
650В	0,85 Ом	10А