Биполярный транзистор с изолированным затвором Trenchstop, 25 А, 1200 В
1 Особенности
Используя запатентованную конструкцию DongHai Planar и передовую технологию FS, IGBT FS 1200 В обеспечивает превосходные характеристики проводимости и переключения, высокую лавинную устойчивость и простоту параллельной работы.
2. Особенности:
Технология FS Trench, положительный температурный коэффициент
Низкое напряжение насыщения: VCE(sat), тип. = 2,0 В при IC = 25 А и TC = 100°C.
Чрезвычайно улучшенная лавинная способность
3.Приложения:
Кондиционер、
Сварка、
UPS…
| Вчес |
Упаковка |
Ic(Tj=100℃) |
| 1200В |
ТО-247-3Л |
25А |