未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Bahay » Mga produkto » IGBT » 1200V-1700V » 25A 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor G25T120D TO-247

naglo-load

Ibahagi sa:
button sa pagbabahagi ng facebook
button sa pagbabahagi ng twitter
pindutan ng pagbabahagi ng linya
buton ng pagbabahagi ng wechat
button sa pagbabahagi ng linkedin
Pindutan ng pagbabahagi ng pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
ibahagi ang button na ito sa pagbabahagi

25A 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor G25T120D TO-247

Gamit ang proprietary Planar na disenyo ng DongHai at advanced na teknolohiya ng FS, ang 1200V FS IGBT ay nag-aalok ng mahusay na pagpapadaloy at paglipat ng mga performance, mataas na avalanche ruggedness at
madaling parallel na operasyon.
Availability:
Dami:
Magtanong Idagdag sa Basket

25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor


1 Mga Tampok 

Gamit ang proprietary Planar na disenyo ng DongHai at advanced na teknolohiya ng FS, ang 1200V FS IGBT ay nag-aalok ng mahusay na pagpapadaloy at paglipat ng mga performance, mataas na avalanche ruggedness at madaling parallel na operasyon. 


2. Mga Tampok: 

 FS Trench Technology, Positibong temperatura koepisyent 

 Mababang boltahe ng saturation: VCE(sat), typ = 2.0V @ IC =25A at TC = 100°C 

 Lubhang pinahusay na kakayahan ng avalanche 


3. Mga Application： 

Aircondition,

hinang,

UPS…


Vces Package Ic(Tj=100℃)
1200V TO-247-3L 25A 


download G40N120D - DHB.pdf

Nakaraan: 
Susunod: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mag-sign up para sa aming newsletter
  • maghanda para sa hinaharap
    na pag-sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update diretso sa iyong inbox
    Isumite
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknolohiya ni leadong.com