25A 1200V insulated gate bipolar transistor G25T120D TO-247

25A 1200V trenchstop insulated gate bipolar transistor

1 Mga Tampok 

Gamit ang pagmamay -ari ng planar na disenyo ng Donghai at advanced na teknolohiya ng FS, ang 1200V FS IGBT ay nag -aalok ng mahusay na pagpapadaloy at paglipat ng mga pagtatanghal, mataas na avalanche ruggedness at madaling kahanay na operasyon. 

2.Features ： 

 Teknolohiya ng FS Trench, koepisyent ng positibong temperatura 

 Mababang boltahe ng saturation: vce (sat), typ = 2.0v @ ic = 25a at tc = 100 ° C 

 Sobrang pinahusay na kakayahan ng avalanche 

3.Pagsasalamatan ： 

Aircondition 、

Hinang 、

UPS ...