25A 1200V Lango Lililohamishika Bipolar Transistor G25T120D TO-247

25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

1 Vipengele 

Kwa kutumia muundo wa umiliki wa Planar wa DongHai na teknolojia ya hali ya juu ya FS, 1200V FS IGBT inatoa utendakazi wa hali ya juu na ubadilishaji, ugumu wa hali ya juu wa theluji na utendakazi rahisi sambamba. 

2. Vipengele: 

 Teknolojia ya Mfereji wa FS, mgawo chanya wa joto 

 Voltage ya chini ya kueneza: VCE(imeketi), chapa = 2.0V @ IC =25A na TC = 100°C 

 Uwezo wa mporomoko wa theluji ulioimarishwa sana 

3. Maombi: 

Hali ya hewa,

Kulehemu,

UPS...

Vces	Kifurushi	Ic(Tj=100℃)
1200V	HADI-247-3L	25A