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quantité: | |
G25T120D
Wxdh
À 247
1200 V
25A
Transistor bipolaire de la porte isolée du trench 1200 V
1 caractéristiques
En utilisant la conception planaire propriétaire de Donghai et la technologie FS avancée, le 1200V FS IGBT offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse à haute avalanche et un fonctionnement parallèle facile.
2.Features :
FS Trench Technology, coefficient de température positive
Tension de saturation basse: VCE (SAT), TYP = 2,0 V @ IC = 25A et TC = 100 ° C
Capacité d'avalanche extrêmement améliorée
3. Applications :
Aircondition 、
Soudage,
UPS…
VCES | Emballer | Ic (tj = 100 ℃) |
1200 V | À 247-3L | 25A |
Transistor bipolaire de la porte isolée du trench 1200 V
1 caractéristiques
En utilisant la conception planaire propriétaire de Donghai et la technologie FS avancée, le 1200V FS IGBT offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse à haute avalanche et un fonctionnement parallèle facile.
2.Features :
FS Trench Technology, coefficient de température positive
Tension de saturation basse: VCE (SAT), TYP = 2,0 V @ IC = 25A et TC = 100 ° C
Capacité d'avalanche extrêmement améliorée
3. Applications :
Aircondition 、
Soudage,
UPS…
VCES | Emballer | Ic (tj = 100 ℃) |
1200 V | À 247-3L | 25A |