25A 1200V လျှပ်ကာတံခါး Bipolar Transistor G25T120D TO-247

25A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

အင်္ဂါရပ်များ ၁ 

DongHai ၏ မူပိုင် Planar ဒီဇိုင်းနှင့် အဆင့်မြင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 1200V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အသွင်ကူးပြောင်းမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်များ၊ မြင့်မားသော နှင်းတောင်များ ကြမ်းတမ်းခြင်းနှင့် အပြိုင်လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူစေပါသည်။ 

2. အင်္ဂါရပ်များ 

 FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

 Low saturation voltage- VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 25A နှင့် TC = 100°C 

 နှင်းပြိုခြင်းစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။ 

၃။ လျှောက်လွှာများ 

အဲယားကွန်း၊

ဂဟေဆော်ခြင်း၊

ယူပီအက်စ်…

Vces	အထုပ်	Ic(Tj=100℃)
1200V	TO-247-3L	25A