10A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET F10N65 TO-220F

10A 650V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento classificata a 2000 V RM da tutti e tre i terminali a dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (FILE RIF: E252906). 

2 caratteristiche 

● commutazione rapida 

● ESD Capacità migliorata 

● Resistenza bassa (RDSON≤1,0Ω)

● CARICA GATE basso (tip: 32NC) 

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 7.0pf) 

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100% 

● Test al 100% ΔVDS 

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.