10A 650 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET F10N65 TO-220F

10A 650 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET

1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. TO-220F pakub isolatsioonipinget, mis on hinnatud 2000 V RMS-ist kõigist kolmest klemmist kuni välise jahutusradiaiseini. TO-220F-seeria vastab UL-i standarditele (faili viide: E252906). 

2 funktsiooni 

● Kiire vahetamine 

● ESD täiustatud võimekus 

● Madal takistus (RDSON≤1,0Ω)

● Madal väravalaeng (tüüp: 32nc) 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 7,0 pf) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 

3 rakendust

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates. 

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring.