ຮູບແບບການປັບປຸງ 1050V N-channel-vanno power Power Mego F10N65 ເຖິງ 220F

ຮູບແບບການປັບປຸງ 10A 650V N-channel-vanne at Modfet Mosfet

1

ນີ້ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ VDMOsfets ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເຮັດວຽກ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການເຮັດວຽກແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs. ເຖິງ 220F ໃຫ້ການໃຫ້ຄະແນນແຮງດັນສະຫມອງຢູ່ທີ່ 2000V rms ຈາກທັງສາມສະຖານີສໍາລັບ heatsink ພາຍນອກ. ຊຸດ TO-220F ປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ UL (ເອກະສານອ້າງອີງ: e252906). 

2 ລັກສະນະ 

●ສະຫຼັບໄວ 

● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

●ຕໍ່າໃນການຕໍ່ຕ້ານ (ສະຫນາມບິນ.1.0ω)

●ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (ປະເພດ: 32NC) 

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຫນ້ອຍ (ປະເພດ: 7.0PF) 

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE 

● 100% ການທົດສອບδvds 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ. 

●ວົງຈອນສະຫຼັບໄຟຟ້າຂອງ Electron Ballast ແລະ Adapter.