10A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N65 TO-220F

10A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1説明

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 TO-220Fは、3つの端子すべてから外部ヒートシンクまでの2000V RMSの定格断熱電圧を提供します。 TO-220Fシリーズは、UL標準に準拠しています（ファイルREF：E252906）。 

2つの機能 

●高速スイッチング 

●ESDは機能を改善しました 

●抵抗が少ない（rdson≤1.0Ω）

●低ゲートチャージ（typ：32nc） 

●低い逆転送容量（typ：7.0pf） 

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト 

●100％ΔVDSテスト 

3つのアプリケーション

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。