未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
250A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Specifikace zařízení DH019N04.pdf
238A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Specifikace zařízení DH026N06.pdf
N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
70A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
81A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80V 81A Specifikace zařízení DH060N08.pdf
120A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N85-Rev.2.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Specifikace zařízení DHS051N10P(2).pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Katalogový list Rev.1.0 .pdf
18A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200V 18A Specifikace zařízení 640.pdf
59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení 60N10B76(1).pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100V 99A Specifikace zařízení DHS052N10P.pdf
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
Výkonový MOSFET 12A 100V N-channel Enhancement Mode B12N10/D12N10
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com