brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C

Tyto výkonové mosfety s vylepšeným režimem N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS.
 
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 59A 100V N-channel Enhancement Mode


1 Popis


Tyto výkonové mosfety s vylepšeným režimem N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplikace

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém řízení měniče 

● Elektrické nářadí 

● Automobilová elektronika



VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
100V 13mΩ 59A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyst