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59A 100V Modo de aprimoramento de canal N

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
 
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59A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET


1 Descrição


Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● baixa resistência

● Baixa carga do portão 

● Comutação rápida 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações

● Aplicativos de comutação de energia 

● Sistema de gerenciamento de inversor 

● Ferramentas elétricas 

● Eletrônica automotiva



VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
100V 13mΩ 59a


download Dispositivo 60N10B76 Especificação (1) .pdf

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