未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 59A 100V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET 60N10 TO-220C

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
tombol berbagi baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

59A 100V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET 60N10 TO-220C

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
 
Tersedianya:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

59A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi


Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Rendah pada resistensi

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik 

● Elektronik otomotif



VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
100V 13mΩ 59a


unduh Perangkat 60N10B76 Spesifikasi (1) .pdf

Sebelumnya: 
Berikutnya: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com