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59a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET 60N10 à-220C

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
 
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59a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET


1 Description


Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Faible de résistance

● Charge de porte basse 

● Commutation rapide 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications

● Applications de commutation d'alimentation 

● Système de gestion de l'onduleur 

● outils électriques 

● Electronique automobile



Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
100V 13mΩ 59a


télécharger Dispositif 60n10b76 Spécification (1) .pdf

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