Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор » 12В-300В Н МОП
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

12 В-300 В Н МОП

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
250 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH019N04 TO-220C ДХ019N04 ТО-220С 40В 250А Спецификация устройства DH019N04.pdf
238А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH026N06 TO-220C ДХ026Н06 ТО-220С 60В 238А Спецификация устройства DH026N06.pdf
N-канальный режим расширения Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 100 А, 85 В ДХ050Н85 / ДХ050Н85Е
70 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DATP057N06N DFN5*6 ДАТП057N06N ДФН5*6 60В 70А Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTG045N04NA TO-220C ДТГ045Н04НА ТО-220С 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
40 В/4,5 мОм/40 А N-МОП-транзистор DSR070N04LA DSR070N04LA
81A 80V N-канальный режим улучшения MOSFET DH060N08 TO-220C ДХ060Н08 ТО-220С 80В 81А Спецификация устройства DH060N08.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTE043N04NA TO-263 ДТЕ043N04NA ТО-263 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
120 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS045N85 TO-220C ДХС045Н85 ТО-220С 85В 120А Спецификация устройства DHS045N85-Rev.2.0.pdf
68 В/7,2 мОм/80 А N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N ТО-252Б 68В 80А Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 ДХС051Н10П DFN5X6 100В 108А Спецификация устройства DHS051N10P(2).pdf
100 В/8 мОм/68 А N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B ДСД090Н10Л3А ТО-252Б 100В 68А Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-канальный режим расширения MOSFET DTG018N04N To-220C ДТГ018N04N ТО-220С 40В 180А DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Технический паспорт, версия 1.0.pdf
18 А, 200 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH640 TO-220C ДХ640 ТО-220С 200В 18А Спецификация устройства 640.pdf
59 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 60N10 TO-220C 60Н10 ТО-220С 100В 59А Спецификация устройства 60Н10Б76(1).pdf
DHS052N10P DFN5X6 ДХС052Н10П ДФН5*6-8 100В 99А Спецификация устройства DHS052N10P.pdf
100 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03P DFN5*6 ДХ012Н03П DFN5X6 30 В 100А Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
12 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор Б12Н10/Д12Н10
100 В/5,5 мОм/100AN-МОП-транзистор DSD065N10L3A TO-252 ДСД065Н10Л3А ТО-252Б 100В 100А Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com