未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
7,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET DO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150 V 115A
45A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100 V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
8A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Špecifikácia zariadenia DH100P20.pdf
174A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Špecifikácia zariadenia DHS030N88.pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100 V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
DSU047N15NA MÝTNY BALÍK DSU047N15NA
8N65 TO-220C 8N65
96A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40 V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Špecifikácia zariadenia 25N10.pdf
100A 30V režim vylepšenia N-kanálu výkon MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
180A 135V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DSG052N14N TO-220C 135 V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
160A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Špecifikácia zariadenia DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100 V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
160A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Špecifikácia zariadenia DHS044N12.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com