未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 135V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG045N14N TO-220

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

180A 135V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG045N14N TO-220

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
Dostupnosť:
Množstvo:
Opýtajte sa Pridať do košíka

180A 135V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis 

Tento N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET využíva pokročilú technológiu Split Gate Trench, ktorá poskytuje vynikajúce Rdson a zároveň nízke nabíjanie brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Rýchle prepínanie

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Riadenie motora a pohon 

● Správa batérie 

● UPS (neprerušiteľné zdroje napájania)


VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
135 V 3,9 mΩ 180A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com