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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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180A 135V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DSG045N14N TO-220

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

180A 135V MODANCO DE MEDIA DE MODANCIACIÓN DEL CANNO MOSFET


1 descripción 

Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor 

● Gestión de la batería 

● UPS (fuentes de alimentación ininterrupibles)


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
135V 3.9 MΩ 180A


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