180A 135V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG045N14N TO-220

Výkonový MOSFET 180A 135V N-channel Enhancement Mode

1 Popis 

Tento výkonový MOSFET v režimu N-kanálového vylepšení využívá pokročilou technologii Split Gate Trench, která poskytuje vynikající Rdson a zároveň nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Řízení motoru a pohonu 

● Správa baterie 

● UPS (nepřerušitelné zdroje napájení)

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
135V	3,9 mΩ	180A