未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: Домашній » Продукція » Мосфет » 12В-300V N MOS » 180a 135V n-канальний режим вдосконалення Power Mosfet dsg045n14n до-220

навантаження

Поділитися до:
Кнопка обміну Facebook
Кнопка обміну Twitter
Кнопка спільного використання рядків
Кнопка обміну WeChat
Кнопка спільного використання LinkedIn
Кнопка спільного використання Pinterest
кнопка обміну WhatsApp
Кнопка спільного використання Sharethis

180A 135V N-канальний режим Power Power MOSFET DSG045N14N до-220

Ці N-канальні режими розширення Power Mosfets використовували розширені технології траншеї Sliet Gate Technology, забезпечили відмінний заряд RDSON та низьких воріт. Що відповідає стандарту ROHS.
Наявність:
Кількість:
Дізнатись Додати до кошика

180a 135V N-канальний режим посилення живлення MOSFET


1 опис 

Цей N-канальний режим розширення Power Mosfet використовує вдосконалену технологію траншеї Split Gate, яка одночасно забезпечує чудовий заряд RDSON та низьких воріт. Що відповідає стандарту ROHS. 


2 особливості

● Низька опір 

● Низький заряд воріт 

● Швидкий перемикання

● Низька ємність зворотного перенесення 

● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином

● 100% ΔVDS -тест 


3 програми 

● Керування двигуном та привід 

● Управління акумуляторами 

● ДБЖ (безперебійні джерела живлення)


VDSS RDS (ON) (TYP) Ідентифікатор
135V 3,9 МОм 180а


Попередній: 
Далі: 
Мосфет
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на наш бюлетень
  • Будьте готові до майбутнього
    реєстрації для нашого інформаційного бюлетеня, щоб отримати оновлення прямо до вашої поштової скриньки
    Подавати
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology Leadong.com