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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 135V, DSG045N14N TO-220

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 135 V


1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Contrôle et entraînement du moteur 

● Gestion de la batterie 

● UPS (alimentations sans interruption)


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
135V 3,9 mΩ 180A


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