Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSG045N14N TO-220

încărcare

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniei
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

180A 135V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DSG045N14N TO-220

Aceste mosfet-uri de putere cu modul de îmbunătățire N-canal au folosit un design avansat de tehnologie de șanțuri splite gate, oferind un Rdson excelent și o încărcare scăzută a porții. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
Disponibilitate:
Cantitate:

180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Descriere 

Acest MOSFET de putere în modul de îmbunătățire N-canal folosește tehnologia avansată Split Gate Trench, care oferă în același timp un Rdson excelent și o încărcare scăzută de Gate. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 


2 Caracteristici

● Rezistență scăzută 

● Încărcare scăzută 

● Comutare rapidă

● Capacitate reduse de transfer invers 

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplicații 

● Controlul motorului şi acţionarea 

● Gestionarea bateriei 

● UPS (surse de alimentare neîntreruptibile)


VDSS RDS(activat)(TYP) ID
135V 3,9 mΩ 180A


Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail