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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza DSG045N14N TO-220 in modalità potenziamento canale N da 180 A 135 V

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 135 V


1 Descrizione 

Questo MOSFET di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizza la tecnologia avanzata Split Gate Trench, che fornisce un eccellente Rdson e una bassa carica di gate allo stesso tempo. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni 

● Controllo e azionamento del motore 

● Gestione della batteria 

● UPS (gruppi di continuità)


VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
135 V 3,9 mΩ 180A


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