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180 A 135 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG045N14N TO-220

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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180 A 135 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
135V 3,9 mΩ 180A


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