未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
47A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikace zařízení DHS180N10L.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
160A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Specifikace zařízení DH020N03P.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100V 25A Specifikace zařízení 25N10.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A MÝTNÉ 85V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Zařízení+DSG041N08NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
25A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Specifikace zařízení DH100P25.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
100A 40V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DSP018N04LA BALENÍ DFN5X6 DSP018N04LA DFN5X6 40V 100A  DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
235A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03U TOLL Package DH012N03U MÝTNÉ 30V 235A Zařízení+DH012N03U+Specifikace+V2.0.pdf
100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100V 240A DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
50A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150V 50A Specifikace zařízení DH50N15.pdf
170A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com