未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
45A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Specifikace zařízení DH100P20.pdf
174A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Specifikace zařízení DHS030N88.pdf
96A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
8N65 TO-220C 8N65
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
DSU047N15NA MÝTNÍ BALENÍ DSU047N15NA
100A 30V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Specifikace zařízení 25N10.pdf
180A 135V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET DSG052N14N TO-220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Specifikace zařízení DHS065N85.pdf
Výkonový MOSFET 140A 85V N-channel Enhancement Mode DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Specifikace zařízení DJF420N70T Rev.1.0.pdf
200A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Zařízení DH020N03(B39) Specifikace.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10,6A Specifikace zařízení DJD420N70T Rev.1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com