未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Pakiet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Arkusz danych_V1.0.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Arkusz danych_V2.0.pdf
47A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DHS180N10L.pdf
160A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Specyfikacja urządzenia DH020N03P.pdf
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A DSG030N10N3 i DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A DSE108N20NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A OPŁATA DSU011N08N3A MYTO 85 V 360A DSU011N08N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Urządzenie+DSG041N08NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
25A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specyfikacja urządzenia DH100P25.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3 i DSE054N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
100A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DSP018N04LA PAKIET DFN5X6 DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _Arkusz danych_V1.0.pdf
50A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Specyfikacja urządzenia DH50N15.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
235A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03U TOLL Pakiet DH012N03U MYTO 30 V 235A Urządzenie+DH012N03U+Specyfikacja+V2.0.pdf
100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100 V 240A DSG024N10N3 i DSE022N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com