未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Wszystkie produkty

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 Do-220f 500 V. 13a 英文版 F13N50 技术规格书 R1.1.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V. 7a 英文版 B7N70 技术规格书 .pdf
8A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 Do-220f 650 V. 8a F8n65 技术规格书 .pdf
4A 800 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800 V. 4a 英文版 D4N80 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V. 4a 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
18A 200 V Tryb wzmocnienia N-Kanałów MOSFET D18N20 TO-252B D18n20 TO-252B 200 V. 18a Device D18N20 Specyfikacja Rev.1.0.pdf
112A 68 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 To-220C 68v 112a DH100N06_DATASHEET_V3.0.PDF
175A 80 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 To-220C 80v 175a DHS035N88 i DHS035N88E i DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
80A 40 V Tryb wzmacniający N-Kananela MOSFET DH045N04P Pakiet DFN5X6 DH045N04P DFN5x6 40v 80a Urządzenie DH045N04P Specyfikacja (1) .pdf
7,6A 650V N-kanał Super Junction MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 Do-220f 650 V. 7.6a DHFSJ8N65_DATESHEET_V1.0.PDF
210A 60 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 To-220C 60 V. 180a Urządzenie N6005B40 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N 80A 80V MOSFET DHD80N08 do 252b DHD80N08 TO-252B 80v 90a Urządzenie DHD80N08 Specyfikacja.pdf
54A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V. 54a Urządzenie DH060N03R Specyfikacja. PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 To-220C 85 V. 100a Urządzenie DHS065N85 Specyfikacja. PDF
60A 68V Tryb wzmocnienia N-Kananela MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 To-220C 60 V. 60a Urządzenie DH60N06 Specyfikacja+.pdf
96A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30 V. 96a Urządzenie DH030N03P Specyfikacja. PDF
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V. 30a Urządzenie DH100P30AD Specyfikacja PDF
200A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V. 200a Device DH020N03 (B39) Specyfikacja. PDF
130A 40V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
40A 60 V Tryb wzmacniający kanał P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 To-220C 60 V. 40a Urządzenie DH400P06 Specyfikacja.pdf

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com