värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
40A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Seadme DH025N03P spetsifikatsioon(1)(1).pdf
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
4A 650 V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
 N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Seadme DHS020N04D spetsifikatsioon.pdf
105A 68V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
47A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET TO-220C DHS180N10L KUNI -220C 100V 47A Seadme DHS180N10L spetsifikatsioon.pdf
170A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
90A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 KUNI -220C 40V 90A Seadme DH045N04 spetsifikatsioon.pdf
90A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Seadme DH045N04 spetsifikatsioon.pdf
4,8 A 650 V N-kanaliga superühenduse võimsus MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
12A 650 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 KUNI -220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Teemaksupakett DSU035N14N3 TOLL 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
100A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 KUNI -220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
25A 100V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Seadme DH100P25 spetsifikatsioon.pdf
160A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Seadme DH020N03P spetsifikatsioon.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100V 25A Seadme 25N10 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti