未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza DHS044N12 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 160 A 120 V DHS044N12 TO-220C 120 V 160A Specifiche del dispositivo DHS044N12.pdf
MOSFET di potenza DHS160N100D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 45 A 100 V DHS160N100D TO-252B 100 V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza F8N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
-100 V/33 mΩ/-35 A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100 V -20A Specifiche del dispositivo DH100P20.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 174A 85V DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85 V 174A Specifiche del dispositivo DHS030N88.pdf
MOSFET N da 100 V/12 mΩ/60 A DSD150N10L3 TO-252B 100 V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA PACCHETTO PEDAGGIO DSU047N15NA
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 96 A 40 V DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40 V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Specifiche del dispositivo 25N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 135 V DSG052N14N TO-220C 135 V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 100 A 30 V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Dispositivo DHS020N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Specifiche del dispositivo DHS065N85.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 140 A 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 200 A 30 V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Dispositivo DH020N03(B39) Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 700 V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJD420N70T Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 700 V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Specifiche del dispositivo DJF420N70T Rev.1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 7,6 A 650 V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6 A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com