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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza DSG048N08N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 120 A 85 V DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Dispositivo+DSG048N08N3+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 116 A 68 V DH070N06 TO-220C 60 V 88A Specifiche del dispositivo DH070N06(2).pdf
MOSFET N 100 V/1,5 mΩ/240 A DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza D4N80 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 4 A 800 V D4N80 TO-252B 800 V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf

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