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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 135 V DSG052N14N TO-220C 135 V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 100 A 30 V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Specifiche del dispositivo DHS065N85.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 200 A 30 V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Dispositivo DH020N03(B39) Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 700 V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Specifiche del dispositivo DJF420N70T Rev.1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 700 V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJD420N70T Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 7,6 A 650 V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6 A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET N 120 V/25 mΩ/36 A DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120 V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N TO-220C da 150 V/7,5 mΩ/115 A DSG092N15N3A TO-220C 150 V 115A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 14 A 650 V 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Dispositivo DHS020N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 140 A 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 70 A 60 V DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET N DTD080N07N TO-252B da 68 V/7,2 mΩ/80 A DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
-6A -100V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100 V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

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