brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
100A 30V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
Výkonový MOSFET 180A 135V N-channel Enhancement Mode DSG052N14N TO-220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Specifikace zařízení DHS065N85.pdf
200A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Zařízení DH020N03(B39) Specifikace.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Specifikace zařízení DJF420N70T Rev.1.0.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10,6A Specifikace zařízení DJD420N70T Rev.1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
7,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7,6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET DO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150V 115A
14A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 140A 85V N-channel Enhancement Mode DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04.pdf
70A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
-6A -100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky