未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
180A 135V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DSG052N14N -220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 -220C 85V 100A Laite DHS065N85 Specification.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Laite DJF420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Laite DJD420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
200A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Laite DH020N03(B39) Specification.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 -220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
7,6 A 650 V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A -220C 150V 115A
140A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 -220C 40V 180A Laite DHS020N04 Specification.pdf
70A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA -220C 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
-6A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Laitteen DHS051N10P Specification(2).pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com