未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
8N65 - 220C 8N65
96A 40V N-kanavainen lisätila teho MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 -220C 100V 25A Laite 25N10 Specification.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
180A 135V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DSG052N14N -220C 135V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
160 A 120 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 -220C 85V 215A DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70A Laite DJC070N65M2 Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
160A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 -220C 120V 160A Laite DHS044N12 Specification.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 -220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 -220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
105A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com