未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA MÝTNE BALENIE DSU047N15NA
100A 30V režim vylepšenia N-kanálu výkon MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Špecifikácia zariadenia 25N10.pdf
180A 135V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DSG052N14N TO-220C 135 V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
160A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Špecifikácia zariadenia DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60 V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100 V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
160A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Špecifikácia zariadenia DHS044N12.pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Špecifikácia zariadenia D5N50&B5N50.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zariadenie+DSD040N08N3A+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
205A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Špecifikácia zariadenia DHS025N88.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com