未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Špecifikácia zariadenia DH100P25.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
12A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
4,8A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Mýtny balík DSU035N14N3 TOLL 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
120A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Zariadenie+DH065N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Špecifikácia zariadenia DJC070N60F.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
DSG014N04N TO-220CPobal DSG014N04N TO-220C 40 V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Špecifikácia zariadenia DHP50P04(DFN56)(1).pdf
270A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12U MÝTNY BALÍK DHS044N12U TOLL 120V 270A Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
Balenie DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
100A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com