brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 135V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG045N14N TO-220 DSG045N14N TO-220C 135 V 180A Donghai_DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
Balík MÝTA DSU024N10N3A DSU024N10N3A TOLL 100 V 272A Donghai_DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA TOLL Package DSU007N04NA TOLL 40 V 360A Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
5A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Špecifikácia zariadenia D5N50&B5N50.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zariadenie+DSD040N08N3A+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
140A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
9A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
130A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Zariadenie DH025N04 Špecifikácia.pdf
90A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Zariadenie DHD80N08 Špecifikácia.pdf
40A 60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Špecifikácia zariadenia DH400P06.pdf
180A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH1K1N10.pdf
-30A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
210A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Špecifikácia zariadenia N6005B40.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty