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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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PACOTE DE PORTAGEM DSU047N15NA DSU047N15NA
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 PARA-252B 100 V 60A DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 135V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência DSG052N14N PARA-220C 135 V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 PARA-220C 100 V 25A Especificação do dispositivo 25N10.pdf
100A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência 30H10 / 30H10F / 30H10E / 30H10B / 30H10K 30H10K PARA-252B 30V 100A 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
160A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E PARA-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 PARA-220C 85 V 215A DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 PARA-247 650 V 70A Especificação do dispositivo DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf
100A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D PARA-252B 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD PARA-252B 100 V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
160A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 PARA-220C 120V 160A Especificação do dispositivo DHS044N12.pdf
175A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 PARA-220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Especificação do dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 PARA-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A PARA-252B 85 V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificação+Rev.1.0.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D PARA-252B 40V 180A Especificação do dispositivo DHS020N04D.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 PARA-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
105A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E PARA-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Folha de dados+V2.0 .pdf
205A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E PARA-263 85 V 205A Especificação do dispositivo DHS025N88.pdf

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