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DH019N04P DFN5X6-8

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
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  • DH019N04P

  • Wxdh

100A 40V Modo de aprimoramento de canal n 40V MOSFET


1 Descrição

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● Comutação rápida

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações 

● Aplicativos de comutação de energia

● Sistema de gerenciamento de inversor 

● Ferramentas elétricas

● Eletrônica automotiva


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
40V 2mΩ 100a


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