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DH019N04P DFN5X6-8

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • DH019N04P

  • WXDH

100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 2mΩ 100A


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