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DH019N04P DFN5X6-8

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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  • DH019N04P

  • Wxdh

Modo de mejora de canal de 4 40V de 40V MOSFET


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas

● Electrónica automotriz


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 2mΩ 100A


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