DH019N04P DFN5X6-8

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 40 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	2mΩ	100A