未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
96A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40В 96A DH033N04P+_Таблиця даних_V1.0.pdf
DSU047N15NA ПЛАТНИЙ ПАКЕТ DSU047N15NA
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K ТО-252Б 30В 100А 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 ТО-220С 100В 25А Специфікація пристрою 25N10.pdf
180A 135V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG052N14N ТО-220С 135В 180А DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
160A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E ТО-263 120В 160А DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
85 В/2,9 мОм/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 ТО-220С 85В 215A DH025N08_Таблиця даних_V1.0.pdf
100A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D ТО-252Б 60В 100А DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
70A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 ТО-247 650В 70А Специфікація пристрою DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf
100 В/15 мОм/50 А N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD ТО-252Б 100В 50А DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
160A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 ТО-220С 120В 160А Специфікація пристрою DHS044N12.pdf
175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 ТО-220С 80В 175А DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 ТО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
5A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 ТО-251Б 500В 5А Специфікація пристрою D5N50&B5N50.pdf
180A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A ТО-252Б 85В 180А Пристрій+DSD040N08N3A+Специфікація+Ред.1.0.pdf
4A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 ТО-252Б 650В 4А 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Специфікація пристрою DHS020N04D.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Таблиця даних+V2.0 .pdf
205A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E ТО-263 85В 205A Специфікація пристрою DHS025N88.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com