未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
80A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH045N04P DFN5X6 КОМПЛЕКТ DH045N04P DFN5X6 40В 80А Специфікація пристрою DH045N04P (1).pdf
DSU010N04LA Платний пакет DSU010N04LA
120A 70V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D ТО-252Б 70В 120А Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Технічний опис+V3.0 (1).pdf
4.8A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 ТО-252Б 650В 4,8А DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 ТО-220С 85В 100А Специфікація пристрою DHS065N85.pdf
200A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D ТО-252Б 30В 200А Специфікація пристрою DH020N03(B39).pdf
10,6 A 700 В N-канальний MOSFET Super Junction Power DJF420N70T TO-220F DJF420N70T ТО-220Ф 700 В 10,6А Специфікація пристрою DJF420N70T Rev.1.0.pdf
10,6 A 700 В N-канальний MOSFET Super Junction Power DJD420N70T TO-252 DJD420N70T ТО-252Б 700В 10,6А Специфікація пристрою DJD420N70T Rev.1.0.pdf
7,6 A 650 В N-канальний MOSFET Super Junction Power DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 ТО-220Ф 650В 7,6А DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
120 В/25 мОм/36 А N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 ТО-220С 120В 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
150 В/7,5 мОм/115 А N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A ТО-220С 150В 115А
45A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D ТО-252Б 100В 45А DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
-100 В/33 мОм/-35 А P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D ТО-252Б -100В -35А DH100P30D_Технічний опис_V1.0+.pdf
8A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 ТО-220Ф 600В 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
174A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E ТО-263 85В 174А Специфікація пристрою DHS030N88.pdf
-100 В/33 мОм/-35 А P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D ТО-252Б -100В -20А Специфікація пристрою DH100P20.pdf
96A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40В 96A DH033N04P+_Таблиця даних_V1.0.pdf
DSU047N15NA ПЛАТНИЙ ПАКЕТ DSU047N15NA

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторські права © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com