未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4.8A 650V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Paquete de peaje N-MOSFET DSU035N14N3 de 135 V/3,3 mΩ/225 A DSU035N14N3 PEAJE 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 100V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 A-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 A-220C 40V 90A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 60V DH066N06 TO-220C DH066N06 A-220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 25A 100V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Especificación del dispositivo DH100P25.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA A-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia D25N10 TO-252B del modo de mejora del canal N de 25A 100V D25N10 TO-252B 100V 25A Especificación del dispositivo 25N10.pdf
85V/0.9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PEAJE DSU011N08N3A PEAJE 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA A-220C 85V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 30V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificación del dispositivo DH020N03P.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 A-220C 100V 140A Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
PAQUETE MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DSP018N04LA DFN5X6 40V 100A Donghai_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
Paquete de PEAJE MOSFET DH012N03U de potencia de modo de mejora de canal N de 235A y 30 V DH012N03U PEAJE 30V 235A Dispositivo+DH012N03U+Especificación+V2.0.pdf
100V/1.7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 A-220C 100V 240A Donghai_DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 50A 150V DH50N15 TO-220C DH50N15 A-220C 150V 50A Especificación del dispositivo DH50N15.pdf
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
DSE043N14N TO-263 DSE043N14N A-263 135V 180A Donghai_DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 85V DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85V 170A Donghai_DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com