未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
18A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 ТО-220Ф 500В 18А 英文版F18N50技术规格书.pdf
96A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P ДФН5х6-8л 30В 96A Специфікація пристрою DH030N03P.pdf
130A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85В 130А Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
80A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100В 80А Специфікація пристрою DHS065N10P(1).pdf
120A100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D120N10 ДО-220С 100В 120А Специфікація пристрою D120N10ZR.pdf
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD ТО-252Б 100В 30А Специфікація пристрою DH100P30AD.pdf
10A 800V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 ТО-220Ф 800В 10А 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 ТО-251Б 700В 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
14A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 ТО-220Ф 650В 14А 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 ТО-220Ф 500В 13А 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 ТО-251Б 800В 4А 英文版B4N80技术规格书.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 ДО-220С 60В 60А Специфікація пристрою DH60N06+.pdf
112A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 ДО-220С 68В 112А Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 ДО-220С 650В 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
180A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
-30A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD ТО-252Б -60В -30А Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Таблиця даних_V2.0.pdf
12A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D ТО-252Б 100В 12А Специфікація пристрою DH1K1N10.pdf
210A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 ДО-220С 60В 180А Специфікація пристрою N6005B40.pdf
130A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D ТО-252Б 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
9A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 ТО-252Б 650В 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com