未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
14A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 ТО-220Ф 650В 14А 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 ТО-220Ф 500В 13А 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 ТО-251Б 800В 4А 英文版B4N80技术规格书.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 ТО-220С 60В 60А Специфікація пристрою DH60N06+.pdf
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 ТО-220С 650В 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
12A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D ТО-252Б 100В 12А Специфікація пристрою DH1K1N10.pdf
-30A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD ТО-252Б -60В -30А DH400P06LD&DH400P06LB_Таблиця даних_V2.0.pdf
180A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
210A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 ТО-220С 60В 180А Специфікація пристрою N6005B40.pdf
112A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 ТО-220С 68В 112А DH100N06_Таблиця даних_V3.0.pdf
9A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 ТО-252Б 650В 9А 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40В 100А DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
90A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 ТО-252Б 80В 90А Специфікація пристрою DHD80N08.pdf
40A 60V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 ТО-220С 60В 40А Специфікація пристрою DH400P06.pdf
130A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D ТО-252Б 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 ТО-220С 100В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
140A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA ТО-220С 150В 140А  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
100 В 140 А N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 ТО-220С 100В 140А DSG054N10N3&DSE054N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
235A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03U пакет TOLL DH012N03U ПЛАТА 30В 235A Пристрій+DH012N03U+Специфікація+V2.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com