未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
60A 68V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 -220C 60V 60A Laite DH60N06 Tekniset tiedot+.pdf
14A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
10A 800V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
8A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Laitteen DH100P30AD Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
65A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
33A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Laite DH240N06L Tekniset tiedot Rev.2.0.pdf
96A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Laitteen DH030N03P Specification.pdf
130A 85V N-kanavainen lisätilavirta MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
80A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Laitteen DHS065N10P Specification(1).pdf
120A100V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET D120N10 -220C 100V 120A Laitteen D120N10ZR Specification.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 -220C 40V 180A Laite DHS020N04 Specification.pdf
54A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Laitteen DH060N03R Specification.pdf
140A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com