未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
14A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
60A 68V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 -220C 60V 60A Laite DH60N06 Tekniset tiedot+.pdf
7A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 -220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
12 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Laite DH1K1N10 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
210A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 -220C 60V 180A Laite N6005B40 Specification.pdf
112A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 -220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
9A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
90A 80V N-kanavan parannustila Virta MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Laite DHD80N08 Specification.pdf
40A 60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 -220C 60V 40A Laite DH400P06 Specification.pdf
170A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 -220C 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
130A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Laite DH025N04 Specification.pdf
140A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA -220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 -220C 100V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 -220C 100V 240A DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com