未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

Të gjitha Produktet

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
14A 650V N-kanali i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
60A 68V 68V-N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH60N06+.pdf
7A 650V N-kanali i përmirësimit MOSFET me fuqi 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 60 V Fuqia MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180 A  DHS025N06&DHS025N06E_Sheet_V2.0.pdf
MOSFET me fuqi 12A 100V me kanal N e përmirësimit MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specifikimi i pajisjes DH1K1N10.pdf
-30A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30 A DH400P06LD&DH400P06LB_Fletë të të dhënave_V2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 210A 60 V Fuqia MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180 A Specifikimi i pajisjes N6005B40.pdf
112A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Fletë e të dhënave_V3.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 100A me fuqi MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A DHS008N04P_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
9A 650V 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
90A 80V 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90 A Specifikimi i pajisjes DHD80N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 40A 60 V Fuqia MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40 A Specifikimi i pajisjes DH400P06.pdf
170A 100V 100V N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170 A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Sheet_V1.0.pdf
130A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130 A Specifikimi i pajisjes DH025N04.pdf
140A 150V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140 A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
140A 30V P-kanali i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140 A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Sheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com