未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 65A 100V N-channel Mode Enhancement DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
33A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Specifikace zařízení DH240N06L Rev.2.0.pdf
96A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Specifikace zařízení DH030N03P.pdf
130A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
80A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Specifikace zařízení DHS065N10P(1).pdf
Výkonový MOSFET 120A100V N-channel Enhancement Mode D120N10 TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení D120N10ZR.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
54A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Specifikace zařízení DH060N03R.pdf
Balíček DSU010N04LA TOLL DSU010N04LA
80A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04P BALENÍ DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40V 80A Specifikace zařízení DH045N04P(1).pdf
120A 70V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datový list+V3.0 (1).pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
18A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Specifikace zařízení D18N20 Rev.1.0.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Zařízení+DSG048N08N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
Výkonový MOSFET 180A 68V N-channel Enhancement Mode DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení 60N10B76(1).pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com