未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
65A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
130A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Zariadenie DH030N03P Špecifikácia.pdf
80A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N10P(1).pdf
Výkonový MOSFET 120A100V N-channel módu vylepšenia D120N10 TO-220C 100 V 120A Špecifikácia zariadenia D120N10ZR.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Špecifikácia zariadenia DH100P30AD.pdf
10A 800V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
14A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Zariadenie DH60N06 Špecifikácia+.pdf
7A 650V N-channel režim vylepšenia výkonu MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
112A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
180A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH1K1N10.pdf
-30A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
210A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Špecifikácia zariadenia N6005B40.pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
9A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com