brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
155A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Zariadenie DH035N04 Špecifikácia.pdf
18A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650 V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Špecifikácia zariadenia DHS025N88.pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A TOLL 100 V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N06 TO-220C 60 V 88A Špecifikácia zariadenia DH070N06(2).pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+DataSheet+V2.0 .pdf
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N07 TO-220C 70 V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180A Zariadenie+DHS035N10&DHS035N10E+Špecifikácia+Rev.1.0 (1).pdf
10A 30V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Špecifikácia zariadenia DH160P03V Rev.1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600 V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
4A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800 V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Špecifikácia zariadenia D18N20 Rev.1.0.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Zariadenie+DSG048N08N3+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty