未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
14A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Zariadenie DH60N06 Špecifikácia+.pdf
7A 650V N-channel režim vylepšenia výkonu MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
-30A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
180A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH1K1N10.pdf
210A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Špecifikácia zariadenia N6005B40.pdf
112A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
9A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
90A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Zariadenie DHD80N08 Špecifikácia.pdf
40A 60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Špecifikácia zariadenia DH400P06.pdf
170A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
130A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Zariadenie DH025N04 Špecifikácia.pdf
140A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP018N04LA BALENIE DFN5X6 DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com