未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
170A 85V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80V 100A DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
180 A 135 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSG045N14N TO-220 DSG045N14N -220C 135V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
40V/0,5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA TOLL-paketti DSU007N04NA TOLL 40V 360A DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSU024N10N3A TOLL-paketti DSU024N10N3A TOLL 100V 272A DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
170A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 -220C 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
130A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Laite DH025N04 Specification.pdf
140A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA -220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
90A 80V N-kanavan parannustila Virta MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Laite DHD80N08 Specification.pdf
140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
9A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
40A 60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 -220C 60V 40A Laite DH400P06 Specification.pdf
112A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 -220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
12 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Laite DH1K1N10 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
210A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 -220C 60V 180A Laite N6005B40 Specification.pdf
7A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 -220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com